グラファイトキャッピング層が評価されて、注入後アニール中にパターン化され選択的に注入された4hエピタキシャルウェハの表面を保護する。 a-z-5214eフォトレジストを750〜850℃の範囲の温度で真空中でスピン焼成し、高さ2μmまでのフィーチャを有する平面およびメサエッチングされた表面の両方に連続コーティングを形成した。水素化ポリマー様フィルムのナノ結晶性グラファイト層への完全な変換をラマン分光法によって確認した。グラファイトキャッピング層は損傷しておらず、その後のアルゴン雰囲気中での1650℃までの30分間のアニーリングの間に、平面およびメサエッチングされた表面の両方を保護した。注入領域のステップバンチングとドーパントアウトディフュージョンを効果的に抑制し、同時に4hエピタキシャルウェハの未注入表面に汚染がないことを確実にした。注入されていないアニールされた表面上に形成されたショットキ...
2001年に量産を開始した、サイズ3の新しいアベイラビリティを発表したシャーマン・パワーウェイアドバンスドマテリアルズ・カンパニー・リミテッドは、ガスベースのレーザ・ウェーハの成長およびその他の関連製品およびサービスのエピサービスのリーディング・サプライヤです。この新製品は、に加えて パム・シャーマン の製品ライン。ドクター。 \"光ファイバ通信の基本的な能動素子（レーザ光源）の高性能化と高信頼性を兼ね備えた多くのお客様に、量子井戸レーザ構造を提供することを嬉しく思っております。ガリウムヒ素およびインジウム・リン・ウェーハ上の量子井戸レーザ・ベース、量子井戸を利用するレーザおよび離散電子モードは、両方の技術によって製造され、紫外から定常までの様々な波長で生成される。量子井戸レーザは、低い閾値電流密度、優れた温度特性、高い変調速度、および高い量子効率のような多くの利点によって大きな注目を集め...
我々は統合のための新しいプロセスを提示する ゲルマニウム シリコン・オン・インシュレータ（SOI）ウェーハを使用しています。ゲルマニウムは、次に酸化されて、2つの酸化物層（成長した酸化物および埋め込まれた酸化物）の間にゲルマニウムをトラップする、大豆中に埋め込まれる。注入および酸化条件を注意深く制御して、このプロセスにより、ほぼ純粋なゲルマニウムの薄い層（現在の実験では最大20〜30nmを示す）を生成する。この層は、赤外線波長に敏感な集積フォトディテクタの製造に潜在的に使用することができ、またはさらに、 ゲー um マニ 成長。結果は、電子顕微鏡法およびラザフォード後方散乱分析、ならびにプロセスの分析的記述を用いた予備的モデリングから提示される。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： www.semiconductorwafers.net 、 私...
マイクロマシニングされたアルガン/ 高電子移動度トランジスタ（ 半分 ） ダイヤモンドライクカーボン/チタン（dlc / ti）の放熱層を有するSi基板上の酸素濃度を調べた。優れた熱伝導率および熱膨張係数を有する ガン dlc / tiを有効にして、Si基板ビアホールを通してガンパワーヘムの熱を効率的に放散します。 dlc設計のこのヘムも曲げ条件（歪み：0.01％）で安定した電流密度を維持した。赤外線サーモグラフィーイメージングでは、標準マルチフィンガーパワーヘム層の熱抵抗は13.6k / wであり、裏面dlc / ti複合層によるマイクロマシン加工プロセスのために5.3k / wに改善された。したがって、提案されたdlc / ti熱放散層は、電力消費量の削減に有効な熱管理を実現した。 （ ソース：iopscience ） 詳細については、次のような関連製品をご覧ください。 ガン・ヘムエピ...
ダイレクト・ダイオード・レーザは、 レーザ。 それらは非常に効率的で、コンパクトで、波長が多用途で、低コストであり、信頼性が高い。しかしながら、直接ダイオードレーザの完全な利用は未だ実現されていない。質の悪さ ダイオードレーザ 直接的にその応用範囲に影響を与える、ダイオードレーザスタックのより良い使用のためには、ダイオードレーザビーム特性の正確な理解を必要とする光学系の適切な補正が必要である。 より少ない電力で細かいビードを作るのに適した長方形のビームパターンのために、実用的なアプリケーションを確立することを可能にする。そのため、使用済み機械のリサイクルとコスト削減に貢献しなければならない破損した機械部品に対して、ダイオードレーザクラッディングが新しい修理分野を開拓します。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： www.semiconductor...
微結晶で構成されたデバイスにおける微小放電の発生を報告するダイヤモンド。微小中空陰極放電形状を有するデバイス構造において放電が生成された。一方の構造は、両側にホウ素ドープダイヤモンド層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなっていた。第2の構造体は、両面に金属層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなる。いずれの場合も、単一のサブミリメートルの穴が導体 - 絶縁体 - 導体構造を通して機械加工された。放電はヘリウム雰囲気中で発生した。破壊電圧は約500Vであり、0.1〜2.5mAの範囲の放電電流は300Vの維持直流電圧によって維持された。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.comまたはpowe...
ウェット・ウェーハ・ボンディング法により350℃のアニーリング温度で形成されたinas / siヘテロ接合を透過型電子顕微鏡（tem）で調べた。 inasおよびsiは、明視野の画像において、2μmの長さの視野内に空隙なしで均一に結合することが観察された。高解像度の画像では、inas2つの結晶を原子的に結合させる役割を担う10-12nmの厚さの非晶質様構造を有する遷移層が存在していた。遷移層は、高角度の環状暗視野走査像において異なる輝度の2つの層に分離された。 in、as、asの分布は、シ、およびヘテロ界面近傍のo原子をエネルギー分散型X線分光法で調べた。遷移層を含む厚さ20nmの中間層内でin、as、およびsi原子の量が徐々に変化した。蓄積されたo原子が遷移層で検出された。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorw...
最近のエピタキシャル膜の成長が概観されている。現在映画映画の成長に使用されている基本的な古典的方法が議論され、その長所と短所が探究されている。 Si上にエピタキシャル膜を合成する新しい方法の基本的な考え方と理論的背景が示されている。この新しい方法は、原子の基板表面への蒸発が利用される従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されるであろう。 この新しい方法は、シリコンマトリックス中のいくつかの原子を炭素原子で置換して分子を形成することに基づいている 炭化ケイ素 。シリコンマトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に核生成の次のプロセスが起こり、成長した膜の配向はシリコンマトリックスの元の結晶構造によって課されることが示される（フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較を行う。 原子の置換に基づく固相エピタキシーの新しい方法および拡張双極子の作成は、ヘテロエピタキ...
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