最近の10年間で、青色、紫色および紫外光エレクトロニクスにおけるそれらの適用のために、iii-n化合物が大きな関心を集めている。デバイスおよび研究のほとんどは、窒化物のエピタキシーのための基板としてサファイアを使用する。しかしながら、これらのエピ構造は、16％の格子不整合によって誘導される非常に高い転位密度を含む ガン サファイア。私たちの研究室では、10 kbarの高い静水圧でガンの単結晶を成長させます。これらの結晶は極めて低い転位密度を有し、青紫色レーザダイオードの構築に成功している。この作品は、高分解能X線回折測定法とフォトルミネッセンスの実験データを提示しています。この作品は3つの部分から構成されています：（1）ガン基板とガン/サファイアテンプレートの比較。 （ii）の影響 アルガン サンプルのボーイング時の層; （iii）インガン/ガン多重量子井戸の微細構造 。 soource：...
本論文では、非熱的方法による非極性（すなわち、m面およびa面）および半極性（すなわち、（20.1）面）ウェハの開発について概説する。成長方法および研磨結果について説明する。我々は、26mm×26mmの非極性および半極性のウエハを製造することに成功した。これらのウェーハは、104cm-3程度の貫通転位密度を有する顕著な構造的および光学的特性を有する。ホモエピタキシャル層およびアルガンヘテロ構造の詳細な研究も示され、オプトエレクトロニクスデバイスの製造における研究されたアモノサーマル基板の可能性を示している。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください： http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または powerwaymaterial@g...
我々はハイブリッド密度汎関数法（dft）を用いて窒化ガリウム中の空孔欠陥の遷移エネルギーレベルを調べた。我々は、純粋に局所的なdftのレベルに関する最近の研究からの予測とは対照的に、スクリーニングされた交換の包含は、価電子帯に近いフェルミエネルギーの窒素空孔の三重正電荷状態を安定させることを示す。一方、窒素空孔の負の電荷状態に関連する欠陥準位は、伝導帯とハイブリッドを形成し、高いnドーピングを除いて、エネルギー的に好ましくないことが判明する。ガリウム空孔の場合には、sx-ldaにおける交換相互作用が強いためにアップスピンとダウンスピンのバンド間の磁気分裂が増加すると、欠陥準位がより深くバンドギャップに押し込まれ、関連する電荷遷移レベルが著しく増加する。これらの結果に基づいて、ガンの黄色発光の代替候補としてイプシロン（0 | - 1）遷移レベルを提案する。 ソース：iopscience 詳細...
マイクロマシニングされたアルガン/ 高電子移動度トランジスタ（ 半分 ） ダイヤモンドライクカーボン/チタン（dlc / ti）の放熱層を有するSi基板上の酸素濃度を調べた。優れた熱伝導率および熱膨張係数を有する ガン dlc / tiを有効にして、Si基板ビアホールを通してガンパワーヘムの熱を効率的に放散します。 dlc設計のこのヘムも曲げ条件（歪み：0.01％）で安定した電流密度を維持した。赤外線サーモグラフィーイメージングでは、標準マルチフィンガーパワーヘム層の熱抵抗は13.6k / wであり、裏面dlc / ti複合層によるマイクロマシン加工プロセスのために5.3k / wに改善された。したがって、提案されたdlc / ti熱放散層は、電力消費量の削減に有効な熱管理を実現した。 （ ソース：iopscience ） 詳細については、次のような関連製品をご覧ください。 ガン・ヘムエピ...
強くmgドープされた薄い ガン p型ガンのオーミックコンタクト形成への影響を調べた。 過剰なmgドーピングがp-n接合のni / au接触を効果的に高めることができ、 ガン 550℃でのアニール後。 mgガス源とgaガス源との間の流量比が6.4％であり、層幅が25nmである場合、850℃で成長されたキャッピング層は、特定の接触抵抗率（ρc）に関して最良のオーミック接触特性を示す。この温度は、従来のmgドープganの成長温度よりもはるかに低く、深い準位欠陥誘起バンドがキャッピング層の伝導に重要な役割を果たす可能性があることを示唆している。 ソース：iopscience 詳細については、をご覧ください。私たちのウェブサイト： www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってください angel.ye@powerwaywafer.com または power...
微結晶で構成されたデバイスにおける微小放電の発生を報告するダイヤモンド。微小中空陰極放電形状を有するデバイス構造において放電が生成された。一方の構造は、両側にホウ素ドープダイヤモンド層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなっていた。第2の構造体は、両面に金属層で被覆された絶縁性ダイヤモンドウェハからなる。いずれの場合も、単一のサブミリメートルの穴が導体 - 絶縁体 - 導体構造を通して機械加工された。放電はヘリウム雰囲気中で発生した。破壊電圧は約500Vであり、0.1〜2.5mAの範囲の放電電流は300Vの維持直流電圧によって維持された。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.comまたはpowe...
ウェット・ウェーハ・ボンディング法により350℃のアニーリング温度で形成されたinas / siヘテロ接合を透過型電子顕微鏡（tem）で調べた。 inasおよびsiは、明視野の画像において、2μmの長さの視野内に空隙なしで均一に結合することが観察された。高解像度の画像では、inas2つの結晶を原子的に結合させる役割を担う10-12nmの厚さの非晶質様構造を有する遷移層が存在していた。遷移層は、高角度の環状暗視野走査像において異なる輝度の2つの層に分離された。 in、as、asの分布は、シ、およびヘテロ界面近傍のo原子をエネルギー分散型X線分光法で調べた。遷移層を含む厚さ20nmの中間層内でin、as、およびsi原子の量が徐々に変化した。蓄積されたo原子が遷移層で検出された。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorw...
最近のエピタキシャル膜の成長が概観されている。現在映画映画の成長に使用されている基本的な古典的方法が議論され、その長所と短所が探究されている。 Si上にエピタキシャル膜を合成する新しい方法の基本的な考え方と理論的背景が示されている。この新しい方法は、原子の基板表面への蒸発が利用される従来の薄膜成長技術とは大きく異なることが示されるであろう。 この新しい方法は、シリコンマトリックス中のいくつかの原子を炭素原子で置換して分子を形成することに基づいている 炭化ケイ素 。シリコンマトリックスの結晶構造を破壊することなく徐々に核生成の次のプロセスが起こり、成長した膜の配向はシリコンマトリックスの元の結晶構造によって課されることが示される（フィルム成長の従来の方法）。新しい方法と他のエピタキシー技術との比較を行う。 原子の置換に基づく固相エピタキシーの新しい方法および拡張双極子の作成は、ヘテロエピタキ...
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