2020-03-17
2020-03-09
q：波長1.5μmの光通信用レーザダイオードを製造するためにInaウェハ/ Inpウェハが必要であり、 あなたは供給していただけますか？ a：はい、私たちはそれを育てることができました。
q：現在、ガウスウェーハを必要とするプロジェクトに取り組んでいます。理想的な構造は次のようになります。 （上）gaas_n_type / barrier / quantum well / barrier / gaas_p_type / scarified layer / gaas基板（下）。リフトオフプロセスによってリード構造体を別の基板に転写する必要があり、n型からp型ガードまでの全体の構造体厚さは約500nmでなければならない。 私たちの要求を満たすものがあるかどうかアドバイスできますか？ a：お問い合わせいただきありがとうございます。私たちの顧客の一部はリフトオフプロセスのために私たちの構造を購入しています、以下の構造を見てください led / irシリーズ用ガウスエピウェハ 赤色（620 +/- 5nm）2インチガウス・ウェーハ p-ギャップ P-algainp mqw-algainp n-algainp dbr n-algaas / alas バッファ ガウス基板
q：青色LEDのテストレポートでは、vfとiv（mcd）を示しています。どのように実際にデバイスにデバイスを処理することなくこのmcdが測定されていますか？ a：プローバ機器を使用し、正と負の極に接触し、電流を接続し、次に電圧とivを得る。
Q：様々な研究指向構造の製作に使用できるウェーハを導いていますか？はいの場合、あなたのウェーハは固まらないのですか？ a：はい、我々は連絡なしで固定されていないリードウェーハを提供することができますが、牛（チップオンウェーハ）も提供できます。
q：サファイアのガーンのために、どの面がエプシーレディであるかを教えてください。 a：ga-face、epi-readyおよびn faceがサファイアに接続しています。
q：赤いエピウエハに関して、エピウエハ構造の最上層またはキャップ層はどうですか？ a：これまでのように、トップレイヤーにp +ガウス（数ナノメートルのみ）がありますが、この2年間は技術革新のおかげで、すべてのファウンドリはこのレイヤーを削除し、現在はトップレイヤーとしてのギャップを取り除いています。実際にはパフォーマンスは以前よりも優れています。
q：pとnの金属接点の製作が価格に含まれていますか？もしそうでなければ、私のデザインに基づいてpとnのコンタクトとsio2のパッシベーションを作ることができますか？これは大きなプロジェクトになる可能性があります。 a：申し訳ありませんが、私たちはpとnの金属コンタクトの製造を提供できません。また、pとnコンタクトとsio2パッシベーションを製造することはできません。
q：サファイア基板をどのようなウエハサイズで提供していますか？ a：現在、サファイア基板上に2インチのウェーハを提供できます。
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