2020-03-17
2020-03-09
我々は分子太陽電池の分子線エピタキシー（mbe）成長とデバイス特性について報告する。 mbeによって成長させた格子整合三重接合スタックの下にGeボトムセルを集積することは、変成成長またはウェーハボンディングなしで超高効率を可能にすることができる。しかし、v-v分子の固着係数が低いために拡散接合が容易に形成されない ゲ 表面。標準的なIII-Vmbeシステム内でp-geウェーハ上にホモエピタキシャルn-geを成長させることによってGe接合を実現しました。我々は、高効率を達成するための重要な要素である成長温度および成長後アニールを見いだし、ge太陽電池を製造した。ウィンドウ層のない約0.175vおよび約0.59の開放回路電圧および充填係数値が得られ、両方とも拡散 ゲ 金属有機気相エピタキシーによって形成された接合部である。我々はまた、iii-vサブセルのその後の成長のために必要とされるように、g接合部上に高品質の単一領域のガウスの成長を示し、ガウス層によって与えられる表面不動態化がGeセル性能をわずかに向上させる。
ソース：iopscience
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