2020-03-17
2020-03-09
inas / ingaas量子井戸レーザ構造は、 inp ガス源である分子線エピタキシーによるバッファーである。障壁層および導波層が材料品質およびデバイス性能に及ぼす影響を特徴付けた。 X線回折およびフォトルミネッセンス測定は、材料品質上の活性量子井戸領域における歪補償の利点を証明する。異なる導波層を有するレーザのデバイス特性は、分離閉じ込めヘテロ構造がこれらの変成レーザのデバイス性能に重要な役割を果たすことを明らかにしている。 2〜3μmの範囲のタイプIの排出物がこれらの inp ベースの変成アンチモンフリー構造。ひずみ補償された量子井戸と別個の閉じ込めヘテロ構造とを組み合わせることにより、レーザ性能が改善され、2.7μmまでのレーザ放射が達成された。 ソース：iopscience 詳細については、をご覧ください。 私たちのウェブサイト：http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com
我々は、エピタキシャル成長ガスボンベのキャリア移動度 - 寿命製品を抽出し、aのガンマ線に対するスペクトル応答を実証する ガス p-i-nフォトダイオードであり、厚さ2μmの吸収領域を有する。 140kでの55fe及び241am放射線源からの暴露下では、フォトダイオードは、それぞれ、5.89及び59.5kevにおいて、1.238±0.028及び1.789±0.057kevの半分のエネルギー分解能で全幅を示す。我々は、ある範囲の光子エネルギーにわたるガスフォトダイオードの良好な直線性を観察する。電子雑音および電荷トラップノイズが測定され、測定されたエネルギー分解能を制限する主な構成要素として示される。 ソース：iopscience 詳細については、をご覧ください。 私たちのウェブサイト：http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com
熱抽出は、半導体デバイスの効率的な性能を保証する上でしばしば不可欠であり、機能半導体層と任意のヒートシンクとの間の熱抵抗を最小にすることを必要とする。この論文は、 エピタキシャル成長 n極の ガンフィルム シリコン基板上に多結晶ダイヤモンドを堆積する際に形成されるSi x C層を用いることにより、金属有機気相エピタキシーによる高熱伝導率の多結晶ダイヤモンド基板上に形成することができる。 Si x C層は、ウェーハスケールで単結晶ガン膜を形成するために必要な構造規則情報を提供するように作用する。三次元島（3d）成長プロセスがSi x C層の非単結晶性によって誘発される六角形欠陥を除去することが示されている。集中成長3dおよび基板の凸状湾曲の導入を導入して、ギャップエピタキシにおける引張応力を低減し、1.1μmの厚さまでのクラックフリー層の成長を可能にすることも示されている。捻れおよび傾斜はそれぞれ、0.65°および0.39°という低い値であり、同様の構造を有するSi基板上に成長させたganに広く匹敵する。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com
我々は、欠陥のない閃亜鉛鉱インブナノワイヤのau支援化学ビームエピタキシ成長を報告する。成長した インブ セグメントは、 inas / inb（111）b基板上のヘテロ構造。我々は、時間分解分析を用いて、閃亜鉛鉱insbが、積層欠陥または双晶面のような結晶欠陥なしに成長できることを示す。歪みマップ解析は、界面から数ナノメータ以内でinsbセグメントがほぼ緩和されていることを示している。成長後の研究により、触媒粒子組成がauin2であり、tdmasbフラックス下で試料を冷却することによって、auin合金に変化させることができることを見出した。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com
光子計数/エネルギー重み付け検出器を備えたX線イメージングは、最高の信号対雑音比（SNR）を提供することができる。走査スリット/マルチスリットX線画像取得は、線量効率の良い散乱除去を提供することができ、これによりSNRが増加する。走査スリット/マルチスリット取得ジオメトリにおける光子計数/エネルギー重み付け検出器の使用は、X線およびCTイメージングにおいて可能な限り高い線量効率を提供することができる。現在、最も進歩した光子計数検出器は、カドミウム亜鉛テルル化物（czt）検出器であるが、エネルギー分解されたX線イメージングには最適ではない。光子計数/エネルギー加重X線およびCTイメージングにおける応用のために、傾斜角czt検出器が本研究で提案されている。傾斜した角度の構成では、X線ビームは、 czt 小さな角で結晶。これは、高い光子吸収を維持しながら、薄い厚さのczt結晶の使用を可能にする。薄い厚さ czt検出器 czt容積における分極効果の有意な低下および計数率の増加を可能にする。薄い厚さの傾斜角cztは、空間分解能及びエネルギー分解能が高く、また電荷収集時間が短く、X線画像を迅速に分解することが可能である。この研究では、傾斜角の主要な性能パラメータ czt 計数率、空間分解能およびエネルギー分解能を含む検出器を評価した。厚さ0.7mmおよび傾斜角13°のczt検出器の場合、最大計数率は10.7倍に増加し、光子吸収は120kevまでの光子エネルギーで> 90％のままであることが示された。傾斜角czt検出器を用いた光子計数/エネルギー重み付けX線撮像をシミュレートした。脂肪に最適化された5つのエネルギービンおよび重み付け係数を用いて、厚さ10cmおよび20cmの軟組織に挿入された脂肪コントラスト要素をそれぞれ画像化した場合、最適な光子エネルギー加重によるsnrの改善は23％および14％であった。 10cmおよび20cmの厚さの軟部組織に挿入されたcaco3コントラスト要素を、5つのエネルギービンおよびcaco3に最適化された重み係数を用いて画像化したときのSNR改善率は42％および31％であった。 caco3および脂肪の光子計数単一kvp二重エネルギー減算画像のsnrは、現在使用されている二重kvp二重エネルギー減算画像と比較して、それぞれ2.04倍および2.74倍高かった。 2mmの厚さを有するczt結晶を用いた実験は、傾斜角構成が使用されたとき、59kev及び122keVの光子エネルギーにおけるcztパルススペクトルのテーリング効果の有意な減少を示した。最後に、光子計数コーンビーム乳房CTイメージングのための傾斜角czt検出器の実行可能性が実証された。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：http://www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
10〜300kの間の熱電特性および n型およびp型Geの単結晶 bi4te7、gesb4te7およびge（bi1-xsbx）4te7固溶体が報告されている。単結晶を修飾ブリッジマン法により成長させ、p型挙動はgebi4te7中のsbによるbiの置換によって達成された。 ge（bi1-xsbx）4at7固溶体の熱電力は-117〜+160μvk-1の範囲である。 n型からp型へのクロスオーバは、sb含量の増加に伴って連続的であり、x≒0.15で観察される。試験したn型およびp型試料間の最高熱電効率は、それぞれznt = 0.11およびzpt = 0.20である。この合金システムにおける最適なn-p対について、複合性能指数は、室温でznpt = 0.17である。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 。 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com
これまでに製造された最も薄い材料であるグラフェンは、炭素原子の単一層からなる。それらは独特の性質を有する一原子厚のチキンワイヤー構造を形成する。それは鋼より約200倍強く、非常に柔軟です。それは透明であるが、気体および液体はそれを通過することができない。さらに、優れた電気伝導体です。このナノ材料をどのように使用することができるかについての多くのアイデアがあり、将来のアプリケーションの研究は激しいです。 「グラフェンは魅力的ですが、勉強するのは非常に困難です」と、科学技術部の主任研究エンジニアであり、リンチェピング大学の物理、化学、生物学科のミハエル・ヴァギンは言います。 特性の理解の困難さに寄与する要因の1つ グラフェン それが「異方性」材料として知られていることである。これは、炭素原子層の平面上で測定したときのその特性が、エッジで測定された特性と異なることを意味する。さらに、グラフェンの原子レベルでの挙動を理解しようとする試みは、それがいくつかの方法で生成できるという事実によって複雑である。多くのエッジを有する小さなフレーク中のグラフェンの特性は、約1cm 2の面積を有するシートとして製造されたグラフェンの特性といくつかの点で異なる。 この研究を行った研究者は、グラフェンを 炭化ケイ素 リンギング大学で開発された方法で。炭化ケイ素が2000℃に加熱されると、表面上のケイ素原子は気相に移動し、炭素原子のみが残る。グラフェン層の高品質およびその本来の不活性により、グラフェンはその周囲と容易に反応しないが、用途はしばしば、ガス分子のような材料と周囲との制御された相互作用に依存する。この分野の研究者の間で行われている議論は、平坦な表面上のグラフェンを活性化することが可能であるか、またはエッジを有する必要があるかどうかである。劉研究者は、表面の欠陥が制御された形で導入されたときに何が起こるかを調査し、このようにしてグラフェンの特性がその構造にどのように関連しているかをより詳細に理解しようと試みた。 「陽極酸化」と呼ばれる電気化学的プロセスは、グラフェン層を破壊し、より多くのエッジが形成されるようにします。陽極酸化グラフェンの特性を測定し、電気を貯蔵する材料の容量がかなり高いことを発見しました。 新しい知識を使用するにはより多くの作業が必要であり、より大きな規模で同じ効果を生み出すことができます。科学者はいくつかの方法で研究をフォローアップする予定です。 「炭化ケイ素上のグラフェンは、他の種類のグラフェンより広い領域で作製することができますが、制御された方法で材料の特性を変えることができれば、他の機能のために表面を調整することが可能です。独自のバッテリーを内蔵したセンサーを作り出すことができます」と、物理、化学、生物学の主要研究エンジニアであり、記事の共著者でもあるMikaelSyväjärviは語っています。彼は、炭化ケイ素上のグラフェンの商業的アプリケーションで動作する会社、graphensic abの創設者の一人です。 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：www.semiconductorwafers.net 、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.com またはpowerwaymaterial@gmail.com...
現場での研究のための発光分光法の能力、およびプラズマ増強原子層堆積（pe-ald）の制御リン化ガリウム水素によって運ばれるホスフィンおよびトリメチルガリウムから調べた。ポンドプロセス中に変化するガス組成を、ホスフィンおよび水素ラインの発光強度の現場測定によって監視した。リンおよびガリウムの堆積ステップが時間的に分離されている犠牲のプロセスでは、過剰なリン蓄積がチャンバ壁に及ぼす悪影響が観察された。実際には、ph3分解工程の間に壁に堆積したリンは、制御不能かつ望ましくない従来のプラズマ強化化学気相成長につながる次のトリメチルガリウム分解工程中に水素プラズマによってエッチングされる。この効果を減少させるために、ガリウム堆積ステップの開始前に過剰のリンをエッチングして原子層堆積成長モードを達成することを可能にする水素プラズマエッチングのステップを導入することが提案されている。 ソース：iopscience 詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください：http://www.semiconductorwafers.net、 私達に電子メールを送ってくださいangel.ye@powerwaywafer.comまたはpowerwaymaterial@gmail.com
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